而现在许秋10%的效率，谈得上是突破，却不算重大突破。
将心中的杂念抛开，许秋开始仔细分析数据。
不论如何，作为科研工作者，最核心的还是要把自己的工作做好。
一共有上千个器件的J-V数据结果，光是分析这些庞杂的数据，许秋就花费了半个小时的时间，也得到了不少结论：
第一，最佳的体系为h22：IDTT-IcIn，效率达到了10.12%，原先h22:IDT-IcIn体系的效率是7.6%，这表明IDTT单元相比于原先的IDT单元，光电性能提升了不少。
许秋立刻认识到IDTT-IcIn将是一个非常重要的标样体系，便将IDTT-IcIn命名为ITIc，对于标样体系来说，名称简单一些比较好，就比如Pce10、P3hT、Pce11、PcBm这些。名字简单就容易被其他人记忆，也容易得到同行们的认可。
此外，ITIc的体系，和3D-PDI体系不同，这种aDa分子的最优器件加工条件，不需要退火后处理，也不需要溶剂添加剂，只需要正常的喷涂即可，非常的简单，很“干净”。
而且，正常旋涂出来的器件性能要比喷涂法制备的器件低2%左右，仅为8.33%，如果其他人不知道喷涂这个技巧，就会比较难以重复出来这个结果。
第二，基于IDT-IcIn-4F/4cl/Dm这些结构，性能相较于IDT-IcIn，-4F和-Dm体系有所提高，幅度也不算小，从6.22%分别提升到了8.92%和8.06%，而-4cl体系反而略微降低，至5.77%。
第三，学妹的h3x体系，也就是在BDT单元上引入氟原子后，器件的性能并没有提高，反而略微降低。
根据现有的文献，从统计学上来看，BDT上引入氟原子，性能提升的概率大概在20%左右，当然的想法是虽然这个概率不高，但也值得尝试，现在扑街了，也没什么大不了的。
因为哪怕是扑街的材料，和ITIc结合，器件性能也有8.72%，最后拿出来水一篇acsamI还是没什么问题的。
第四，博后学姐的Fn-IcIn体系，被许秋简称为FnIc，效率最高可达9.64%，最优的匹配给体为窄带隙的Pce10，而非宽带隙的h22系列。
许秋推断可能是分子共轭长度延长，光吸收范围会向近红外的方向移动，以至于和窄带隙的材料形成互补的光吸收。
他顺手让模拟实验人员测了一个光吸收光谱，得以验证，IDT-IcIn、ITIc、FnIc的共轭长度分别为5、7、9，光吸收的范围大致各为550-750、600-800、650-850，也就是共轭长度每提高2，光吸收大约红移50纳米。
除了得出了四个结论外，许秋还顺便想出了接下来的优化方向。
第一优先级，合成IDTT-IcIn-4F、IDTT-IcIn-Dm和Fn-IcIn-4F，分别被他简称为IT-4F、IT-Dm和Fn-4F。
第二优先级，合成单氟、单甲基取代的IcIn-F，IcIn-m单元，单氯取代的结构合成出来意义不大。这样做既可以发文章，又可以明晰引入杂原子、甲基的数量对器件性能的影响。很多时候虽然能够大概猜测到变化趋势，但没有把材料合成出来，再经过测试，那就只是猜测而已。
第三优先级，侧链修饰，使用噻吩侧链以及苯环间位连接己基的侧链取代ITIc体系中苯环对位连接己基的侧链。
和当初冲刺效率的时候不同，那时候是新结构，达到多少多少的标准，差不多就是什么档次的文章，比如8%就是二区，10%就是一区。
现在对于这些新工作来说，相当于同属一个类似的结构，器件的效率只要保持在一定数值以上，不一定每次都取得效率突破，只要把故事讲得好听，也能够发表不差的文章，比如am这样顶刊级别的文章。
当然，想要发表更好文章，比如《自然》主刊、大子刊级别的，还是要把效率做上去，至少也要打破现有的效率记录。